【摘 要】
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在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET.依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件[1,2],由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普
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在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET.依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件[1,2],由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及.然而,普通SJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差.早期的SJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效.尽管后来它的体二极管特性有了一定改善,但还是不能像传统MOSFET的体二极管那样耐用.我们示出即使施加缓和上升的di/dt,普通SJ器件的体二极管也还会失效.飞兆(Fairchil
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