【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,本文研究了高压对β-InSe弹性常数、机械性能和电子结构的影响.在0 ～ 20 GPa范围内,随着压力的增大,β-InSe的晶格常数、晶胞体积逐渐
【机 构】
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武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉430081武汉科技大学材料与冶金学院,武汉430081;
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基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,本文研究了高压对β-InSe弹性常数、机械性能和电子结构的影响.在0 ～ 20 GPa范围内,随着压力的增大,β-InSe的晶格常数、晶胞体积逐渐减小,结构参数a/a0 、c/c0、V/V0单调减小.在0～ 12 GPa范围内,弹性模量G、E、B和泊松比v随着压力增大而增大,在16 GPa时大幅减小,G、E、B分别减小了34.9％、53.3％、82.9％.随着压力增大,Se-In和In-In原子之间的电荷密度增大,Se-In原子之间的共价键增强,层间距减小.而且,β-InSe在20 GPa时带隙消失,发生了半导体向半金属的相变.
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