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腔室气密性是影响集成电路（IC）装备真空腔室内流场均匀性的重要因素，腔室漏率数量级不高于10^-6Pa·m^3／s、极限真空度数量级不高于10^-4Pa，才能满足IC工艺的漏率要求．本文用氮质谱检漏仪检测真空腔室泄漏情况，并将泄漏处逐一进行堵漏处理，使腔室气密性能达到IC装备的工艺要求．用静态升压法计算得出腔室漏率为8．84×10^6Pa·m^3／s，极限真空度为2×10-^4Pa,考虑用于实际生产的工艺腔室体积小（10-30L），而本实验腔室体积（84．5L）较大