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为在硅基光波导上实现类电磁诱导透明效应，设计并加工了基于绝缘体上硅的串联双环结构．通过300℃到1200℃热氧化退火、缓冲刻蚀液湿法腐蚀以及1000℃高温氮气退火等波导结构的后期处理，利用垂直光栅耦合的方式输入及输出信号，观测到了类电磁诱导透明效应．分析了两环间不同间距对类电磁诱导透明效应的影响，结果表明：工艺中单环Q值达到5．1×10^4，类电磁诱导透明效应透明峰的带宽约为500MHz．