半导体器件钝化层Si3N4薄膜的制备及特性研究

来源 :哈尔滨理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tkzc666

【摘要】

：

采用热分解法在硅衬底上制备了si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测,C-V法对薄膜

【作者】

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刘宝峰李洪峰金立国

【机构】

：

哈尔滨理工大学

【出处】

：

哈尔滨理工大学学报

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

Si3N4薄膜界面态表面电荷

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采用热分解法在硅衬底上制备了si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测,C-V法对薄膜和硅片界面态进行了测试.结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在,在Si3N4薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷,由于这种高密度表面电荷的存在,导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层.

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