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采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜.对各种样品测量了光致发光谱, 其发光峰位位于655～665nm.通过对样品所作的光吸收测量,确定出了样品中纳米硅粒的光学带隙,并发现光致发光峰位随光学带隙的增加有微小红移.
含纳米硅粒氧化硅薄膜的光致发光和光吸收研究
【摘 要】
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采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜.对各种样品测量了光致发光谱, 其发光峰位位于655～665nm.通过对样品所作的光吸收测量,确定出了样品中纳米硅粒的光学
【机 构】
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西北师范大学物理与电子工程学院
【出 处】
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西北师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2003年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金，甘肃省自然科学基金，西北师范大学校科研和教改项目
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