论文部分内容阅读
为了提高SOI—LDMOS功率器件击穿电压及相关性能，针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构，在新结构中引入了复合埋层，它由P埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成。复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系，而且还缓解了自热效应。仿真结果表明，在漂移区长度为57um时，新结构耐压达到了1052V，与CamSemiSOI相当，而比导通电阻与表面最高温度分别比CamSemiSOI降低了233．05Ω·mm2和64K。