5Gb／s单片集成GaAs MSM／PHEMT 850nm光接收机前端

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sbsiqyd9

【摘要】

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采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积为50μm×50μm，电容为0．17pF，4V偏压下的

【作者】

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焦世龙陈堂胜钱峰冯欧蒋幼泉李拂晓邵凯叶玉堂

【机构】

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电子科技大学光电信息学院,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年4期

【关键词】

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金属-半导体-金属光探测器分布放大器光接收机眼图 metal-semiconductor-metal photodetector distributed

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采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积为50μm×50μm，电容为0．17pF，4V偏压下的暗电流小于17nA．分布放大器-3dB带宽接近20GHz，跨阻增益约46dBΩ.在50MHz-16GHz范围内，输入、输出电压驻波比均小于2；噪声系数在3．03～6．5dB之间．光接收机前端在输入2．5和5Gb／s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下，得到较为清晰的输出眼图．

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