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对三元系统BaTiO3（BT）-Bi0.5Na0.5TiO3（BNT）-BiNb04的微结构和介电性能进行了研究。1％（摩尔分数）BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃。BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率，相反低温端的电容温度变化率升高。掺杂3％～4％（摩尔分数）BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性。烧结温度过高时，居里峰明显被抑制，居里温度向低温移动，而低温介电峰向高温移动。SEM结果表明，1％（摩尔分数）BiNbO4掺杂时，陶瓷晶粒细小且尺寸均匀。BiNbO4含量增大，陶