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研究小组正对异质半导体的研究做出不断的努力，采用外延技术淀积比单晶硅材料迁移率更高的材料，并将其作为扩展CMOS技术的一种方法。异质器件可以在硅晶圆上制作，举例来说，可以在pFET中使用锗，在nFET中使用包括GaAs、InGaAs或InSb在内的III—V族材料。
异质CMOS的研发正在进行
【摘 要】
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研究小组正对异质半导体的研究做出不断的努力，采用外延技术淀积比单晶硅材料迁移率更高的材料，并将其作为扩展CMOS技术的一种方法。异质器件可以在硅晶圆上制作，举例来说，可以在
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年4期
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