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低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明，该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接，它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算，得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制.