【摘 要】
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研究了Tl2Ba2CaCu2O8+δ/LaAlO3单晶薄膜的ab平面内电子在超导凝聚过程中的行为,薄膜厚度为3000,转变温度Tc=96K。在凝聚过程中,阻抗谱z(ω,T0)变化剧烈。谱线随温度的变化规律
【机 构】
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天津理工大学材料科学与工程学院,天津市光电显示材料与器件重点实验室,显示材料与光电器件省部共建教育部重点实验室,南开大学信息技术科学学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(10704054)资助
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研究了Tl2Ba2CaCu2O8+δ/LaAlO3单晶薄膜的ab平面内电子在超导凝聚过程中的行为,薄膜厚度为3000,转变温度Tc=96K。在凝聚过程中,阻抗谱z(ω,T0)变化剧烈。谱线随温度的变化规律与浅超导区直流压制下的阻抗谱极为相似。随着超导凝聚的加强,谱重从高频区进一步向低频区转移并且导致直流极限下的发散。通过分析,得出超导相变对应了"超流电子岛"从出现到扩大并最终连成"整片超导大陆"这样的过程。我们还测试了薄膜载流下的阻抗谱z(ω,B0),观测到临界电流密度随着超导凝聚的进行而增大。
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