ZnO晶体生长新方法研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:whansiyu
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为,发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术.通过优化生长参数,获得了尺寸为Ф5mm×5mm的ZnO晶体.该晶体具有纤锌矿结构,晶格常数a=0.3252nm,b=0.5209nm.X射线定向确认其择优取向生长方向为[0001].实验结果表明,助熔剂-坩埚下降法是ZnO晶体生长的一条新途径.
其他文献
AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98(Ag28Cu)2Ti活性焊料,在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XR
一、民办高校财务管理目标(一)整体目标。在目前的环境下,民办高校财务管理目标应以院校价值最大化为目标,即根据民办高校发展目标,采用最优的财务政策,在考虑长远发展的前提下,筹集