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采用真空蒸发-真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻-温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系.
特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究
【摘 要】
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采用真空蒸发-真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年3期
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