周期顺序蒸发工艺生长的Cu（In，Ga）Se2薄膜结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：TimRealler

【摘要】

：

采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.5Se2薄膜．通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0.7Ga0.5Se2薄膜，对四元化合物Cu(In，Ga)Se

【作者】

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徐传明许小亮闵海军徐军杨晓杰黄文浩刘洪图

【机构】

：

中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,中国科学技术大学结构分析重点实验室,中国科学技术大学物理系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年10期

【关键词】

：

CIGS 有序缺陷化合物择优生长表面自发分解 CIGSthe ordered defect compoundspreferred orientationsp

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采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.5Se2薄膜．通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0.7Ga0.5Se2薄膜，对四元化合物Cu(In，Ga)Se2的Raman谱进行了讨论，并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响，同时发现薄膜倾向于沿(112)晶面生长，薄膜贫Cu会加剧(220)／(204)表面自发分解成(112)小晶面．研究表明，薄膜具有良好的电学特性和结构特性．

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