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对GaN行波放大器功放开关进行研究,发现传统功放开关对功放和开关芯片分别进行设计,这样的设计会导致功放开关不能实现最佳的性能。因此采用GaN PHEMT工艺,研制了一款在2~18 GHz频率范围内具有良好性能的超宽带功放开关。为了满足输出功率和增益等指标,功放路采用分布式放大器结构,并将功放与开关进行一体化设计,最终得到性能良好的功放开关。