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采用溶胶-凝胶法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响，得出了最佳工艺条件。结果表明，采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构，Sn^4＋离子取代In2O3晶格中的In^3＋离子，样品不含低价氧化锡，薄膜方阻达到600n／口，可见光透过率达到83％。