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描述了用直拉单晶（CZ）硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命，以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究，分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系，并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷：TRR为80～500ns，VF控制在0．9～1．3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善，而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正