【摘 要】
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4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOSFET）由于N型底部辅助层（NBAL）的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度。利用器件仿真
【机 构】
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空军工程大学基础部,空军工程大学航空机务士官学校
【基金项目】
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国家自然科学基金(11405270)
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4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOSFET）由于N型底部辅助层（NBAL）的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度。利用器件仿真器Atlas建立了器件的二维仿真结构,对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET的单粒子烧毁（SEB）效应进行了对比,随后研究了NBAL浓度变化对4H-SiC半超结VDMOSFET抗SEB能力的影响。结果表明,在相同漏电压下,NBAL导致半超结VDMOSFET在N-漂移区/N＋衬底结处的电场峰值比超结VDMOSFET的电
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