一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究

来源 :第十届全国敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：TIANYAGUKEXING

【摘要】

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提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120:1～125:1,因此SiO2层可以抑

【作者】

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阮勇叶双莉张大成任天令刘理天

【机构】

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清华大学,微电子所,微/纳器件与系统实验室,北京,100084北京大学,微电子研究院,北京,100871

【出处】

：

第十届全国敏感元件与传感器学术会议

【发表日期】

：

2007年8期

【关键词】

：

微电子机械系统硅-玻璃阳极键合硅深刻蚀刻蚀损伤

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提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120:1～125:1,因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应,扫描电镜结果也证明,采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性.硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性.

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