论文部分内容阅读
用能量 50 - 1 1 0 ke V的 N离子在低于 80°C温度下注入 CVD法合成的金刚石薄膜后 ,分别用 X射线光电子谱、红外谱和拉曼谱检测注入后的薄膜中是否形成了 C- N化合物 .结果表明注入后的薄膜中存在有 3种化学键态的 C- N化合物 ,且低能离子注入更有利于 C- N化合物的形成 .由于在注入区内形成了大量的 C- N单键 ,这有利于β- C3N4 的合成 .对 C- N化合物薄膜的场发射特性也做了研究