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SiC金属．半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法，但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题，若隔离台阶太陡，则栅金属在台阶处连续性较差，易产生电迁徙，器件工作时首先在此处烧毁，使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法：通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP，RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶；通过“类平坦化”技术可以将绝缘介质淀积到台下区，基本实现无台阶；利用“离子注入隔离”取代“刻蚀隔离”则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅