C59 N单分子整流器

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【摘要】

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通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5

【作者】

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王克东李斌杨金龙侯建国

【机构】

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合肥微尺度物质科学国家实验室、中国科学技术大学

【出处】

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物理

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

电子物理学整流效应扫描隧道显微镜(STM) 单电子隧穿(SET) C59N electronic physics rectifier effect sc

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划项目（批准号：G1999075305.G2001CB3095,G2003AA302660）、国家自然科学基金（批准号：50121202,10474087）和中国科学院超级计算中心资助项目

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通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．

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