【摘 要】
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三维堆叠集成电路（3D-SIC）主要采用过硅通孔（through silicon via,TSV）技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工
【机 构】
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合肥工业大学情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室,合肥工业大学计算机与信息学院,合肥工业大学管理学院
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三维堆叠集成电路（3D-SIC）主要采用过硅通孔（through silicon via,TSV）技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。针对通过TSV绑定后的3D芯片,利用信号在导体中传输的不可逆性,在测试信号发送端施加两次不同测试激励,在其他层的测试信号接收端增加反弹模块,再利用触发器和多路选择器将两次反馈结果进行比较,实现针对TSV的测试。实验结果表明,180nm CMOS工艺下,与同类方法比较,提出的测试结构面积和测试平均功耗分别
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