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提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－C3N4,P－C3N4或－(C2N2)n－的最可能表面反应,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。
磁控溅射碳化硅薄膜生长的热力学讨论
【摘 要】
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提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－C3N4,P－C3N4或－(C2N2)n－的最可能表面反应,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型薄膜淀
【机 构】
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扬州大学复杂性科学研究中心,西北大学物理系
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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山西省自然科学基金
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