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介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法--综合多偏置点优化参数提取法.该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数,其次介绍了多偏置点优化算法.最后,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试,实验采用一系列随机起始值,结果表明,提取的参数值与经验值相差小于1%.