论文部分内容阅读
采用直流磁控双靶共溅射方法，在玻璃基片上制备了非晶态的TbFe磁致伸缩薄膜。研究了溅射功率、工作气压等工艺参数对薄膜成分的影响。研究结果表明：当溅射功率从20w增加到100W时，TbFe薄膜中Tb含量从35．77at％增加到44．54at％；工作气压从0．2Pa增加到1．0Pa时．TbFe薄膜中Tb含量从38．02at％增加到44．1at％。重点研究了真空退火处理对TbFe薄膜磁性及磁致伸缩性能的影响。结果表明。真空退火处理有利于提高平行于膜面的饱和磁化强度和磁导率；350℃真空退火60min，在外加磁场