【摘 要】
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在高压宽输入范围的芯片中，高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源，为带隙基准供电，然而低压电源波动过大，降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生，可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5～65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路，适用于宽输入电压芯片，如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目（61731016）；
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在高压宽输入范围的芯片中，高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源，为带隙基准供电，然而低压电源波动过大，降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生，可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5～65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路，适用于宽输入电压芯片，如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化，线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成，采用负反馈稳压设计，不使用齐纳二极管，不引入额外的掩膜层，降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下，基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5～65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。
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