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利用射频磁控溅射技术在SiO2／n—Si和玻璃衬底上制备ZnO薄膜，研究了溅射气体氩氧比对薄膜特性的影响，在氩氧比为2：3下所制备的ZnO薄膜c轴择优取向相对较好，薄膜的颗粒随氩氧比的增加而增大，所制备的薄膜在可见光均具有较高的透射率，吸收边在360-380nm附近；并在以SiO。／n—Si为衬底，氩氧比为2：3，经过退火处理的ZnO薄膜上制作Ag-ZnO—Ag肖特基MSM叉指结构的紫外探测器，所制作的探测器在5V偏压下漏电流为3．3×10^-8A，在紫外波段有较高的响应度，光响应度峰值在365