平行耦合四量子点体系自旋相关的Fano效应

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研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano效应。量子点1、3和量子点2、4之间的耦合强度取定值,当量子点1、2之间的耦合强度很小时,对其输运性质基本不产生影响。量子点1、2间的耦合强度增大时,多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano峰。
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