论文部分内容阅读
提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能.对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGe SOI BMHMT 由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管,使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高.