论文部分内容阅读
借助于SILVAC0TCAD仿真工具，研究了高压LDMOS电流准饱和效应（Quasi—saturationeffect）的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化，认为当栅压较低时，LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区，栅压对源漏电流的钳制明显，此时沟道载流子速度饱和；而在大栅压下，随着沟道导电能力的增加以及漂移区两端承载的电压的增大，本征MOSFET两端压降迅速降低，器件不能稳定地工作在饱和区而进入线性工作区，此时沟道中的载流子速度不饱和。