固体透氧膜（SOM）法由SiO2电解制备多晶硅

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【摘要】

：

Si对太阳能以及光伏行业的发展具有重要战略意义,因此被广泛地研究和应用.利用固体透氧膜（solid oxide oxygen ion-conducting membrane,简称SOM）法在CaCl2 熔盐中对SiO2 直接

【作者】

：

赖冠全邹星礼程红伟郑凯李尚书耿淑华鲁雄刚

【机构】

：

上海大学省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2016年2期

【关键词】

：

SOM法熔盐电解 Si SOM process molten salt electrolysis silicon

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Si对太阳能以及光伏行业的发展具有重要战略意义,因此被广泛地研究和应用.利用固体透氧膜（solid oxide oxygen ion-conducting membrane,简称SOM）法在CaCl2 熔盐中对SiO2 直接电解制备多晶硅进行了深入研究.结果表明,不同压片压力及烧结温度会对阴极片电解过程产生影响.0.3gSiO2 粉末在2MPa下压制成型并于900 ℃下烧结4h后,在1000℃施加4.0V 进行熔盐电解2h能得到纯多晶硅,电流效率为82.3%.电解反应过程包含SiO2 →Si和SiO2 →

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