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成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2．1nm的Si3N4／SiO2(N／O)stack栅介质，并对其性质进行了研究．结果表明，同样EOT的Si3N4／SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较，前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者．在此基础上，采用Si3N4／SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0．12μm的CMOS器件，器件很好地抑制了短沟道效应．在Vds=Vgs=±1．5V下，nMOSFET和pMOSFET