【摘 要】
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采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜(DBR),并对器件的光子调
【机 构】
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南京邮电大学PeterGrü,nberg研究中心,南京工程学院计算机工程学院,重庆大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.61322112,No.61531166004);江苏省普通高校博士研究生科研创新计划(No.KYZZ16_0258);中国科学院跨学科创新团队计划;南京工程学院创新基金重大项目(No.CKJA201705,No.CKJA201708)
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采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜(DBR),并对器件的光子调控功能进行研究.特殊的InGaN波导结构使得器件在制备过程中不再需要复杂的硅移除和晶片背面减薄工艺,硅衬底可以保持完整.实验结果表明,作为光源的多量子阱发光二极管(MQW-LED)具有良好的电流-电压特性.MQW-LED开启后部分光子耦合进直波导,被限制在波导内向前传输,在DBR处发生全反射并部分衍射到自由空间中.由器件的电致发光光谱可知
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