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研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系．通过等效电路分析，XRD，SEM显微结构观察，探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理，制成了介电系数可调（10000～50000），电容量变化率低（±4．7％～122％），使用温域宽（-55～＋125℃）的单层片式晶界层电容器．