Cu-Zr／ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：feijin4fhi

【摘要】

：

采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta,YaN的

【作者】

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白宣羽汪渊徐可为

【机构】

：

西安交通大学

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

非晶电阻率纳米压入硬度 amorphous resisitivity nanoindentation hardness

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采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta,YaN的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标.

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