发射极δ掺杂的InGaAs／InP DHBT的特性分析

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lizhuyundao

【摘要】

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设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了

【作者】

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陈雷东曹俊诚齐鸣徐安怀李爱珍

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

InGaAs/InPDHBT δ掺杂层阻挡层复合集电极 I-V输出特性双异质结晶体管 δ - doping composite collector set

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设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.

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