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采用CVD法成功合成了高质量单晶In2Ge2O7纳米带，采用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）图像以及x射线衍射（XRD），能谱元素分布图像等对产物进行了表征。结果表明，生长的纳米带长几十微米、厚度50nm，几乎没有缺陷且In，Ge，O元素分布均匀。此外，基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论。