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采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５－１０Ωｃｍ。俄歇电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜和激光喇曼谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５－１．０μｍ的金刚石结晶微粒。
硼离子掺杂类金刚石薄膜及C（B）n—Si异质结光伏特性
【摘 要】
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采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５－１０Ωｃｍ。俄歇电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜和激光喇曼谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多
【机 构】
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安徽师范大学物理系,西安交通大学
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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1996年2期
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