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在修改常规Spindt型阴极制备工艺的基础上制作出低电压驱动且具有亚微米栅极孔径的场发射阵列，采用硅的局部氧化工艺制备栅极绝缘层，利用硅的侧向氧化使栅极孔径降低到亚微米量级，腐蚀出微腔阵列，通过固定角度蒸发铝制作牺牲层，再利用电子束蒸发钼，在微腔里沉积钼尖锥，去除牺牲层，成功制备出钼尖锥场发射阵列。为了改善场发射性能，制作出了六硼化镧尖锥阵列。分别对钼尖锥阴极阵列和六硼化镧尖锥阴极阵列的场发射特性进行了测试。本文研究对场发射阵列在实际中应用有着重要的意义。