InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jeff2001

【摘要】

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采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到

【作者】

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黄占超吴惠桢劳燕锋刘成曹萌

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

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X射线衍射倒空间mapping 应变量子阱

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903)

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采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.

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