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通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si（100）面。采用Raman光谱，AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响，进而完善了p—Si基PTCDA薄膜的生长机制。
温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
【摘 要】
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通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si（100）面。采用Raman光谱，AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响，进而完善了p—Si基PTCDA薄膜的生长机制。
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,湖南科技大学物理学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年4期
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