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利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在.
硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究
【摘 要】
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利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程
【机 构】
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北京大学物理学院重离子物理研究所北京100871
【出 处】
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原子核物理评论
【发表日期】
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2002年z1期
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