Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangya110
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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的a粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜,X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明暗电流在10^-8~10^-7A之间,α粒子(^241Am5.5MeV)辐照下电流为10^-5~10^-6A。
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