【摘 要】
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利用射频磁控溅射法制备出TiO2薄膜及不同掺Ce比的TiO2薄膜。用紫外-可见分光光度计对薄膜的透过率做了测定,结果显示在一定掺杂范围内随着掺Ce量的增加,薄膜的光学吸收边出
【基金项目】
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国家大学生创新性实验计划基金（0910697008）
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利用射频磁控溅射法制备出TiO2薄膜及不同掺Ce比的TiO2薄膜。用紫外-可见分光光度计对薄膜的透过率做了测定,结果显示在一定掺杂范围内随着掺Ce量的增加,薄膜的光学吸收边出现红移。计算发现通过CeO2的掺杂,氧化钛薄膜禁带宽度Eg由3.40 eV减小至2.73 eV,从而使吸收边由366 nm红移至455 nm处,增强了对可见光的吸收,这与CeO2在TiO2导带与价带间引入杂质能级有关。
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