【摘 要】
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受到外延材料、制造工艺的影响,InGaAs短波红外焦平面器件在成像时会呈现出较为严重的非均匀性.由于像元都有各自独立的转换放大电路,所以每个像元的电压偏移量、转换增益和
【机 构】
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400060 中国电子科技集团公司第四十四研究所 重庆
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受到外延材料、制造工艺的影响,InGaAs短波红外焦平面器件在成像时会呈现出较为严重的非均匀性.由于像元都有各自独立的转换放大电路,所以每个像元的电压偏移量、转换增益和暗电流值都会有所不同,需要针对这三个参量进行非均匀性校正来获取高质量的成像.探测器暗电流随器件工作温度的变化大,在校正中需要考虑到对暗电流参数的温度补偿量机制.以SoC FPGA为核心器件搭建了InGaAs短波红外成像系统,实现了实时非均匀性校正处理.最后,采用图像非均匀性为指标评价了校正算法的效果,实验证明,图像非均匀性可由5％降低至1.2％左右,可显著改善成像质量.
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