Cu位La、Gd掺杂YBa2Cu3O7-δ结构和磁通钉扎的比较

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【摘要】

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多晶样品YBa2Cu3-xLaxO7-δ（0≤x≤0．15）和YBa2Cu3-xGdxO7-δ（0≤x≤0．15）通过固相反应法制备得来。通过结构参数分析，我们发现La首先替代Cu（1）位，然后开始部分替代Ba，而Gd开始替代Cu（2）位

【作者】

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徐胜顾艳妮吴小山

【机构】

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江苏科技大学张家港校区基础部,南京大学物理学院

【出处】

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低温与超导

【发表日期】

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2011年8期

【关键词】

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YBA2CU3O7-Δ 稀土替代 Cu位结构临界电流密度 YBa2 Cu3 07 -δ Rare - earth substitutionCu site S

【基金项目】

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江苏科技大学博士科研启动基金（35270802）,江苏科技大学基金（37270901、33271001）资助.

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多晶样品YBa2Cu3-xLaxO7-δ（0≤x≤0．15）和YBa2Cu3-xGdxO7-δ（0≤x≤0．15）通过固相反应法制备得来。通过结构参数分析，我们发现La首先替代Cu（1）位，然后开始部分替代Ba，而Gd开始替代Cu（2）位然后替代Cu（1）位。YBa2Cu3-xLaxO7-δ和YBa2Cu3-xGdxO7-δ的Tc都随掺杂x曲折变化并呈逐渐减小趋势。微量的La或Gd的Cu位掺杂使得YBa2Cu3O7-δ的Jc有明显的提高。YBa2Cu3-xLaxO7-δ的最佳掺杂组份（0．04）小于YBa

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