大功率GaN芯片封装的设计与热分析

来源 :焊接 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hhf1985

【摘要】

：

文中以硅铝合金为封装材料,分别采用AlN,Al2O3,聚四氟乙烯作为芯片基板,设计出一种适用于大功率GaN芯片的封装模型.利用ANSYS软件,模拟模型中GaN芯片在循环温度-55～125℃条件下的热应力分布情况.研究结果表明,以聚四氟乙烯为基板的模型芯片所受应力最大,Al2O3次之,AlN最小.研究结果对新型航空航天器件中大功率芯片封装设计提供了参考依据.

【作者】

：

张杰禹胜林马美铭王雨壮

【机构】

：

南京信息工程大学,南京210014

【出处】

：

焊接

【发表日期】

：

2021年8期

【关键词】

：

氮化镓硅铝合金电子封装热应力

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