【摘 要】
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为了研究扩散接合工艺参数对二硅化钼发热元件冷热端的接合强度的影响,对接合端面状态、接合温度、保温时间、接合压力和接合气氛等工艺条件进行了对比分析,并根据接合部位的
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
【基金项目】
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国家杰出青年基金资助项目（50625414）,国家自然科学基金资助项目（50372078）.
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为了研究扩散接合工艺参数对二硅化钼发热元件冷热端的接合强度的影响,对接合端面状态、接合温度、保温时间、接合压力和接合气氛等工艺条件进行了对比分析,并根据接合部位的断裂强度和微观结构的研究结果,建立了在本实验条件下最佳发热元件冷热端扩散接合工艺条件：接合端面粗糙度为1.5 μm,接合温度1570～1600℃,保温时间30～60s,接合载荷15kg,接合气氛为氩气.
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